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在SiO ₂ / Si晶片上的CVD石墨烯/ CVD六方氮化硼异质结构

CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 4 Pack

石墨烯/ h-BN薄膜的性质：

单层h-BN膜上的单层石墨烯膜  转移到285nm（p掺杂）SiO ₂ / Si晶片上

尺寸：1cmx1cm; 4包

每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制

该产品的覆盖率约为98％

薄膜是连续的，有小孔和有机残留物

高结晶质量

石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有小的多层岛（低于5％的双层）

薄层电阻：430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO ₂ / Si晶片上。

要在转移前查看薄膜的特性，请参阅我们的相关产品铜箔上的石墨烯和铜箔上的h-BN。

硅/二氧化硅晶片的特性：

氧化层厚度：285nm

颜色：紫罗兰色

晶圆厚度：525微米

电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米

型号/掺杂剂：P /硼

方向：<100>

前表面：抛光

背面：蚀刻

应用：

石墨烯/ hBN界面用于需要精确门控石墨烯，增加迁移率和减少散射的场合。

h-BN作为基于石墨烯的电子器件的基底具有吸引力，因为其表面原子级光滑，没有悬空键，并且具有与石墨烯类似的结构。

在石墨烯上使用我们的SiO2 / Si晶片上的h-BN将鼓励您探索用于晶体管应用的石墨烯异质结构

我们的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA辅助转移方法制造。

我们可以在4“晶圆上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜

学术参考

石墨烯生长

在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日：Vol。324.没有。5932，pp.1312 - 1314

石墨烯转移

用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移，Li et.al.，Nano Lett。，2009,9（12），pp 4359-4363

走向清洁和无裂缝转移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano，2011,5（11），pp 9144-9153

石墨烯/ h-BN异质结构

石墨烯，六方氮化硼（h-BN）和石墨烯/ h-BN异质结构的电学性质和应用

Materials Today Physics，Science Direct：Vol 2，September 2017，pp 6-34

第2卷，2017年9月，第6-34页作者链接打开覆盖面板